【課程介紹】

掌握電源完整性關鍵技能，深入PDN阻抗分析與設計。本課程從電源分配網絡系統PDN的基礎知識入手，詳細解讀數據手冊，深入探討端口自阻抗與傳輸阻抗。通過目標阻抗法，學習不同頻率范圍內阻抗要求，及如何進行精確計算與保守估算。

【課程實操部分】

將通過HI3536和AM3359等實例，從原理圖分析到電路板布局，逐步指導您完成PDN阻抗檢查與仿真分析。內容涵蓋電源平面的旁路電容與去耦電容知識，電容的諧振頻率，以及如何通過電容配置原則優化電源濾波和芯片去耦。進一步，課程將揭秘電源平面阻抗優化技巧，包括電源樹電流分析、目標阻抗法在過孔寄生電感及等效阻抗頻率范圍的應用。通過OptimizePI和PowerSI軟件工具，學習電源平面分析及阻抗優化的完整流程。本課程適合電子工程師、硬件設計師和相關專業學生，無論您是電源完整性的新手還是希望提升技能的專業人士，都能從中獲得寶貴的知識和技能，為高效電源設計打下堅實基礎。

【學習效果】

1、規范的掌握高速PCB和IC芯片互連仿真分析優化的仿真分析手段和方法，能夠掌握包括信號完整性,電源完整性,電源噪聲，PDN分析,S參數分析,全波FEM參數提取，連接器結構圖體參數提取與分析,IC芯片參數參數提取與分析，DDR3，DDR4高速信號互連仿真分析的手段。掌握電熱混合分析,高速互聯體仿真分析,MCM,SIP的信號互聯時域分析,通用信號分析,ESD,EMI分析。IC芯片熱阻,熱密度，熱流分析,壓降分析,封裝參數RLC模型收取,IBIS編輯修改等技能和驗證分析技巧。

2、學會和掌握CadenceSigritySl&PIPowerSl、PowerDC、Speed2000、’PowerTree、OptimizePI、SystemSl、BroadbandSPICEClarity3DLayout、Clarity3DWorkbech、CelsiusCFD、Celsius2D、Celsius3D、XtractlM、AMM,、igrityThermal等系列軟件使用方法和應用技巧。

3、學會在頻域分析中詳細的闡述了提取2.5D和3D全波場下提取封裝和PCB的各種網絡參數(S/Y/Z及等效L/R/G/C參數)及PDN電源分配網絡參數的辦法與分析優化技巧。學會將直接將仿真的思路和方法應用與自己實際工作中的項目中去，讓工程師能夠在掌握整個設計過程中解決高速問題。

4、以實例操作的辦法化繁為簡手把手的學會寬帶網絡參數模型抽取辦法，系統研究電源的諧振頻率以及輸入阻抗，信號的插入損耗及反射系數,為精確分析電源和信號的性能提供依據。提高自己的綜合能力，解決工作實際項目中遇到的問題,提高自己的信號分析和仿真能力。

5、在時域電子封裝和印制電路板的電源和信號完整性分析中，以項目實例講解了通用時域仿真分析、電路板DDR3專用時域信號分析、DDR4內存專用時域信號分析、TDR_TDT時域反射分析、METRICS信號質量評估、EMC信號網絡輻射仿真分析方法和優化技巧。

6、本套視頻的目的是讓工程師能夠通過25個項目分析實例學習快速的掌握好通用頻域和時域分析高速互聯問題的技巧方法,將方法融入到自己的高速互聯分析中去,從而科學地解決自己的項目存在的問題。

7、熟練掌握通用信號完整性分析方法，能夠對IBIS文件進行修改和裁剪及能夠發現IBIS文件中存在的常見錯誤問題。能手動搭建通用信號完整性仿真鏈路系統，包括DDR3/4的互聯信號仿真,同時掌握DDR類,高速互聯體類,信號指標的用判斷標準,能夠獨立開展仿真結果評估和常見異常問題處理。  

【課程目錄大綱】

電源完整性及電源平面PDN阻抗分析技巧及總結視頻教程

C412、電源的分配網絡系統PDN&端口的自阻抗和傳輸阻抗

C413、PDN阻抗分析本質分析是電源平面固有的頻域特征

C414、端口的自阻抗和端口直接的傳輸阻抗&研究電容擺放

C415、PDN的評估手段通常采用目標阻抗法&目標阻抗Z曲線

C416、目標阻抗法在不同頻率范圍內有著不同的阻抗要求

C417、目標阻抗法的計算辦法&保守估算辦法和典型計算法

C418、PDN目標阻抗在關注的頻率范圍內小于目標阻抗數值

C419、降低電源平面供電系統阻抗的設計原則及常用辦法

C420、目標阻抗板級&封裝級&DIE級進行阻抗仿真的頻率范圍

C421、電源平面中的旁路電容和去耦電容的知識和容量數值

C422、去耦電容常用的數值及板級去耦電容的諧振頻率范圍

C423、實例HI3556V200原理圖電源部分電路概述分析講解

C424、實例HI3536LAYOUER電路板的布局及電源網絡解讀

C425、實例HI3536DDR部分電路PDN阻抗檢查分析導入講解

C426、實例HI3536DDR部分PDN仿真分析電源網絡講解設置

C427、實例HI3536VRM模型&IC模型&電容庫電容模型設置

C428、實例HI3536仿真觀測點設置&電容開路和及模型設置

C429、實例HI3536執行仿真PDN仿真結果不符合結果錯誤

C430、實例HI3536OptimizePI&PDN阻抗檢查流程詳解

C431、實例HI3536&VRM&IC模型&電容模型的參數詳解

C432、實例HI3536&VRM設置模型參數的講解和原理講解

C433、實例HI3536&VRM第三種模型設置參數詳細講解

C434、實例HI3536&VRM三種等效模型的對比分析講解

C435、實例HI3536&電源平面的關聯電容的模型檢查講解

C436、實例HI3536&觀測點VRM短路設&及LOAD開路設置

C437、實例HI3536&平面電容開路&仿真結果PDN阻抗不合格

C438、實例HI3536&使能平面關聯電容&仿真PDN后解讀

C439、實例HI3536&電源平面U8&阻抗超標的分析和解讀

C440、實例HI3536&觀測點修改成VRM和LOAD模型及結果解讀

C441、實例HI3536&PDN仿真結果分析和阻抗不符合項目分析

C442、實例HI3536&電源樹電流分析&修改目標&再次分析解讀

C443、去偶電容的配置原則&電源電源濾波及芯片去耦電容原則

C444、去耦合電容的ESL&ESR寄生電感和寄生電阻參數特征

C445、AMM中的電容庫的材料調用&電容庫電容參數特征

C446、電容庫中電容參數的特征&ESR&ESL及查看查找方法

C447、容量和封裝不同ESL&ESR的參數跟隨變化&電容庫參數

C448、電容自諧振頻率及等效的串聯電感數值及封裝有關系

C449、濾波電容自諧振頻率與電容的尺寸及封裝形式有關系

C450、去耦電容的計算可以用來電源的負載來計算的電容量

C451、去耦電容的計算可以采用目標阻抗法來進行容量

C452、目標阻抗法的BULK的高頻率點等效及近似方法

C453、目標阻抗法過孔寄生電感及等效阻抗頻率范圍方法

C454、OptimizePI電源平面及電容位置優化的分析流程

C455、PowerSI電源平面分析及平面阻抗優化分析的流程

C456、PowerSI電源平面分析及平面阻抗優化分析的流程

C457、相同容量的電容并聯具有相同的諧振頻率&阻抗更小

C458、不同容量的電容并聯有不同諧振峰&有LC的反諧振特征

C459、不同容量的電容并聯在寬頻減少阻抗&反諧振點阻抗大

C460、利用電容反諧振峰阻抗最小的特征來改善PDN的阻抗

C461、電容的SPICE模型和S參數模型&兩種模型都能用于仿真

C462、SPICE等效電容的模型文件結構解讀和等效電路特征

C463、電容擺放問題&最小數值電容有高頻率去耦半徑最小

C464、BGA類芯片電容擺放位置及電容擺放的規律&背面電容

C465、電容安裝原則&環路面積最小&總的寄生電感最小化

C466、常見的電容擺放過孔的方式及BGA類圓形電容的過孔

C467、盤中孔的方式寄生電感最小&優化電容可以減少數量

C468、電容引線的寬度和焊盤寬度一致電感小&阻抗不變

C469、電容安裝中的寄生電感的影響因數&減少回流電感

C470、回路面積越大&引出線的越長電感越大&平面交錯

C471、利用電容反諧振點阻抗最小的特點改善PDN的阻抗

C472、利用電容自諧振頻率點阻抗最小抑制PDN的諧振

C473、利用電容自諧振增加Bulk電容消除諧振的辦法

C474、實例AM3359PWR_VDDS_DDR電源網絡講解

C475、實例AM33591V5網絡電源平面負載分析講解

C476、實例AM3359導入PowerSI相關設置及網絡講解

C477、實例AM3359層疊參數設置和修改電源網絡講解

C478、實例AM3359電源平面電容模型添加及檢查操作

C479、實例AM3359電容模型檢查&元件類型修改操作

480、實例AM3359電容檢查&添加端口&添加短接電阻

C481、實例AM3359PDN自阻抗結果解讀&Z參數端口分析

C482、實例AM3359U22短接歐電阻作用講解&目標阻抗法

C483、實例AM3359修改輸出引腳后經電感阻抗有LC諧振峰